IGBT中頻熔煉爐介紹

IGBT中頻熔煉爐適應(yīng)的領(lǐng)域，IGBT中頻爐主要表現(xiàn)出哪些優(yōu)勢(shì)，他與普通可控硅中頻爐哪個(gè)更節(jié)能呢？本篇由恒通力特機(jī)電小編簡(jiǎn)單分析下IGBT中頻爐。

1、設(shè)備的應(yīng)用

      節(jié)能熔煉設(shè)備主要用于鋼、合金鋼、鑄鐵等黑色金屬材料以及不銹鋼、銅、鋁、鋅等有色金屬材料的熔煉及銅粉、不銹鋼粉，鐵粉、鎳粉、合金粉等多種金屬粉的制造，也可在真空條件或保護(hù)氣氛下，對(duì)鎳基及其特殊鋼高性能鋼、精密合金、高溫合金、稀土合金、活潑金屬、銅及銅合金、儲(chǔ)氫材料、釹鐵硼及各種導(dǎo)磁材料等進(jìn)行熔煉及澆鑄成型。

2、設(shè)備采用的節(jié)能技術(shù)

     IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), 全稱為絕緣柵極雙極型功率管，做為IGBT中頻電源的核心器件，是由BJT(雙極型三極管)和MOS (絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大: MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。

3、 IGBT串聯(lián)諧振技術(shù)

      將IGET模塊與諧振電容器與感應(yīng)線圈組成半橋或全橋串聯(lián)工作;在串聯(lián)諧振電路中，感應(yīng)線圈上中頻電壓的高低與變頻功率器件的耐壓無(wú)關(guān)，只要感應(yīng)線圈的絕緣允許，提高中頻電壓就可以進(jìn)一步降低感應(yīng)線圈的損耗，整機(jī)效率就會(huì)進(jìn)一步提高， 高效節(jié)能型ICBT感應(yīng)加熱設(shè)備的輸出電壓高達(dá)3500- 4000電流很小;這和輸電為什么要用高壓輸送是一個(gè)道理 ，這也就是說(shuō)IGBT為什么比普通可控硅中頻爐更占優(yōu)勢(shì)。