IGBT串聯(lián)感應(yīng)加熱爐與普通可控硅技術(shù)對比的優(yōu)勢

發(fā)表時間：2022-03-04 09:21作者：admin來源：恒通力特機(jī)電網(wǎng)址：http://mixsoft.cn

IGBT串聯(lián)感應(yīng)加熱設(shè)備與普通可控硅技術(shù)對比的優(yōu)勢，IGBT串聯(lián)感應(yīng)加熱爐節(jié)能主要體現(xiàn)在那幾個方面。

1、功率因數(shù)高?？煽毓璨⒙?lián)感應(yīng)加熱設(shè)備調(diào)節(jié)功率是通過調(diào)節(jié)整流可控硅的導(dǎo)通角實現(xiàn)的，在設(shè)備工作在小功率時，可控硅導(dǎo)通角減小，電網(wǎng)的功率因數(shù)就:會降低。因此必須另配功率因數(shù)補(bǔ)償柜，增加新的投入，如果不另配功率因數(shù)補(bǔ)償柜，將會導(dǎo)致用戶配電室的功率因數(shù)補(bǔ)償柜電容損壞或供電變壓器發(fā)熱，甚至供電單位的力調(diào)罰款，用戶的投入增加。IGBT串聯(lián) 感應(yīng)加熱設(shè)備調(diào)節(jié)功率采用逆變側(cè)調(diào)節(jié)方式，整流電路采用二極管，整流的功率因數(shù)0.95以上，不需要在配電柜中另外配置設(shè)備。

2、損耗小。在感應(yīng)加熱設(shè)備工作時，在整流- 逆變過程中，IGBT串聯(lián)感應(yīng)加熱設(shè)備在開關(guān)器件、電感、二極管等部件上的損耗比可控硅并聯(lián)感應(yīng)加熱設(shè)備小得多

3、高次諧波干擾小。高次諧波主要來自整流部分調(diào)壓時可控硅產(chǎn)生的毛刺電壓，會嚴(yán)重污染電網(wǎng)，導(dǎo)致其他設(shè)備無法正常工作，而節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源的整流部分采用半可控整流方式，直流電壓始終工作在最高，不調(diào)導(dǎo)通角，所以它產(chǎn)生高次諧波非常小，不會污染電網(wǎng)、變壓器，開關(guān)不發(fā)熱，不會干擾工廠內(nèi)其他電子設(shè)備運(yùn)行，并且用戶不需要額卜配備就地?zé)o功補(bǔ)償及濾波裝置，減少整體的項目投資。

4、可靠性更高。IGBT串聯(lián)感應(yīng)加熱設(shè)備在負(fù)載諧振頻率隨加熱過程不斷變化時，不會發(fā)生停振或逆變顛覆等故障?？煽毓璨⒙?lián)電源在感應(yīng)加熱過程中，負(fù)載的等效阻抗等參數(shù)會有一定的變化，因此負(fù)載的諧振頻率就會相應(yīng)有變化，此時如果逆變器控制電路不能及時準(zhǔn)確的跟蹤到負(fù)載諧振頻率，就可能使逆變器停振，甚至發(fā)生逆變顛覆的故障。因此相比可控硅并聯(lián)電源，IGBT串聯(lián)電源工作可靠性更高。